英特尔代工iPho欧义ne芯片没戏了！行业人士揭开背后原因

快科技2月2日消息，英特业人因在过去的尔代几周时间里，苹果牵手英特尔的芯戏行欧义传闻引发广泛关注。

有证券机构披露，片没苹果会让英特尔代工部分M系列处理器和非Pro版iPhone芯片，士揭预计在2027年发货的开背低端M系列芯片以及2028年iPhone标准版芯片中使用英特尔18A-P工艺。

消息称苹果公司已经与英特尔签署了保密协议，后原并获取了其先进的英特业人因18A-P工艺的PDK（工艺设计套件）样本，用于产品评估。尔代资料显示，芯戏行英特尔18A-P工艺是片没欧义其首个支持Foveros Direct 3D混合键合技术的工艺节点，该技术允许通过TSV实现多个小芯片的士揭垂直堆叠。

不过行业人士对英特尔代工iPhone芯片泼了一盆冷水，开背认为英特尔绝无可能会代工iPhone芯片，后原主要原因是英特业人因BSPD（背面供电）技术。

具体来说，台积电是部分工艺节点采用 BSPD、部分不采用，以此完善其产品组合；而英特尔则是在其最先进的18A和14A工艺上全面押注BSPD。

据悉，BSPD的优势是提升芯片性能，由于芯片是通过背面更短、更粗的金属路径供电，这降低了电压降，支持更高、更稳定的工作频率，但是对于移动芯片而言，这种方案带来的性能增益微乎其微。

更糟糕的是，该方案会带来严重的自发热效应，需要额外的散热措施。因为垂直散热效果较差，横向散热也很更糟，在许多依赖空气散热或有温度限制的场景中，这根本无法实现。

由于这些散热问题，行业人士认为，英特尔在短期内绝无可能获得iPhone芯片的代工订单。当然，M系列处理器由于散热空间相对较大，或许仍存在合作的可能性。

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责任编辑：振亭

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